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삼성전자, 日 차세대 TFT 특허 확보

Thu, 21 Jul 2011 18:05:40 +0900

관련기사 요약건들 ------------ 일본 도쿄공대 교수가 개발한 박막 트랜지스터(TFT) 기술 라이선스를 삼성전자 (842,000원 9000 -1.1%)가 확보했다. 요미우리 등 현지 언론에 따르면 일본 과학기술 진흥기구(JST)는 호소노 히데오 도쿄 공대 교수(57)가 발명한 고성능 박막 트랜지스터(IGZO TFT)에 관해 지난 20일 삼성전자와 특허 라이선스 계약을 체결했다고 밝혔다. 투명 비정질 산화물 반도체(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)의 하나인 'IGZO'를 사용한 TFT는 기존 디스플레이 재료보다 고해상도 화질을 구현할 수 있으며 제조상 이점도 있는 것으로 알려졌다. 호소노 교수는 JST의 지원 아래 이 기술을 개발했으며 2004년 당시 이 결과를 '네이처'지에 싣기도 했다. 호소노 교수는 "국내외 기업에 차별 없이 라이선스를 하고 싶다는 생각을 처음부터 갖고 있었다"며 "대학의 기초 연구 성과가 제품으로 나오는 것이 재료 연구자로서 숙원"이라고 말했다. ----------- 일본이 개발한 차세대 고정밀 TFT LCD 핵심 기술이 삼성전자에 팔렸다고 요미우리신문 등 일본 언론이 21일 보도했다. 일본 과학기술진흥기구(JST)는 20일 이 기구의 지원을 받아 호소노 히데오 도쿄공업대 교수가 발명한 고성능 박막 트랜지스터(IGZO TFT)의 특허 라이선스 계약을 삼성전자와 체결했다고 밝혔다. 호소노 교수가 발명한 새로운 박막 트랜지스터(TFT)는 `인듐(In)-갈륨(Ga)-아연(Zn)-산소(O)`를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)로, 기존 비정질 실리콘(a-Si) TFT에 비해 전자 이동속도가 10∼20배 빠른 것으로 알려졌다. 이를 TFT LCD에 응용하면 해상도를 약 10배 높일 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 이 기술에 근거해 대형이나 3차원형 디스플레이를 개발, 1∼2년 후에 제품화할 계획인 것으로 전해졌다. 스마트폰 등에도 이용할 것으로 보인다. -------- 삼성전자, 日차세대 LCD 핵심 기술 샀다 김흥록기자rok@sed.co.kr 삼성전자가 3차원형 디스플레이 등에 쓰이는 차세대 고정밀 액정표시장치(LCD)의 핵심기술을 일본 연구진으로부터 사들였다. 삼성전자는 호소노 히데오 도쿄공업대 교수가 발명한 고성능 박막 트랜지스터(IGZO TFT)의 특허 라이선스 계약을 연구지원기관인 일본과학기술진흥기구와 체결했다고 21일 밝혔다. 이번에 구매한 박막 트랜지스터는 수소화 비결정 실리콘(Si)으로 만든 기존의 비결정 반도체와 달리 인듐(In)과 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)로 전자 이동속도가 기존보다 10~20배 빠른 것으로 알려졌다. 이를 LCD에 응용할 경우 해상도를 10배가량 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 삼성전자는 이 기술을 스마트폰은 물론 대형 및 3차원형 디스플레이 개발에 적용해 1~2년 후 제품화할 계획인 것으로 알려졌다. 삼성은 이번 계약으로 제품 매출의 수%를 일본 측에 주게 된다. 일본 측은 이번 특허 수입이 과거 아카사키 이사무 나고야대 특별교수 등이 개발한 청색 발광다이오드의 특허수입 56억엔 규모에 이를 것으로 예상하고 있다.

SiNx gate insulator film publish in J Electroceram

Tue, 14 Jun 2011 13:21:25 +0900

Stressed SiNx gate insulato film의 phsical & electrical properties의 연관성에 관한 논문이 publish 되었습니다. vol. 26 page : 63-67

InGaZnO TFT 논문 publish in Solid State Electronics

Thu, 02 Jun 2011 13:50:09 +0900

InGaZnO Thin Film Transistors에서 gate bias instability에 대한 visible light의 영향에 관한 논문이 publish 되었습니다. vol : 62 page : 77-81

신소재공학과 특별세미나 공지

Mon, 30 May 2011 14:48:31 +0900

연사 : Hyun-Suk Kim ,Ph.D(KAIST) 연제 : High mobilitty oxide TFT for next generation displays 일시 : 5월 30일 (월) 15시 30분 장소 : 3과학관 107호

제 7차 Korean ALD workshop

Fri, 22 Apr 2011 11:29:51 +0900

행사명 : 제 7차 Korean ALD workshop 일시 : 2011년 4월 29일 장소 : 서울, 한양대학교 백남학술정보관 6층 국제회의실 < 제 7차 Korean ALD workshop 일정표> 　 시간 일정 발표자 　 개회식 09:00~09:10 7차 K-ALD Workshop 개회식 　 Section 1 최창환 (한양대) 09:10~09:50 Enhancement of Growth Rate in Atomic Layer Deposition of Dielectric Materials 원석준 (삼성) 09:50~10:30 Atomic Layer Deposition for Ceramic Fuel Cell Components 심준형 (고려대) 　 Coffee Break 10:30~11:00 백남학술정보관 6층 국제회의실 　 Section 2 심준형 (고려대) 11:00~11:40 A Study on AlZnO thin films deposited by Atomic Layer Deposition : transparent conductive oxide and semiconductor 박진성 (단국대) 11:40~12:20 ALD의 박막태양전지 광학박막 응용 연구 임정욱 (ETRI) 　 점심식사 & Coffee Break 12:20~14:00 생활과학대학 7층 　 Section 3 박진성 (단국대) 14:00~14:40 High throughput ALD technology for solar cell applications 신웅철 (NCD) 14:40~15:20 Novel ALD Technologies for the Mass Production System 이기훈 (IPS) 　 Coffee Break 15:20~15:50 백남학술정보관 6층 국제회의실 　 Section 4 이기훈 (IPS) 15:50~16:30 Synthesis of Nanostructured Catalysts Using Atomic Layer Deposition Jeff Elam (ANL) 16:30~17:10 ALD를 이용한 연료전지 전해질 및 촉매 합성 공정 연구 차원석 (서울대) 　 토론 및 폐회 17:10~17:30 ALD관련 종합 토론 및 폐회

InGaZnO TFT 논문 publish in Applied Physics Letter

Mon, 17 May 2010 08:20:49 +0900

InGaZnO TFT에서 SiN gate insulator의 stress에 따른 소자 특성 변화에 관한 논문이 Applied Physic Letter에 publish 되었습니다. vol : 96 page : 193506

ZnO TFT 논문 accept in Journal of Electroceramics

Wed, 07 Apr 2010 10:50:39 +0900

ZnO TFT의 열처리에 의한 소자 특성 변화에 대한 연구 결과가 Journal of Electroceramics에 accept되었습니다. Article title: The annealing effect on properties of ZnO thin film transistors with Ti/Pt source-drain contact Author: Jin-Seong Park DOI: 10.1007/s10832-010-9605-8 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- Dear Prof. Dr. Park: We are pleased to inform you that your manuscript, "The annealing effect on properties of ZnO thin film transistors with Ti/Pt source-drain contact" has been accepted for publication in Journal of Electroceramics. Best regards, The Editorial Office Journal of Electroceramics

정권범 교수, ‘테라급 나노소자 사업단’ 최다논문상에

Wed, 31 Mar 2010 13:58:03 +0900

정권범 교수(천안 전자물리학과. 33세)가 교육과학기술부의 대형 연구개발 프로젝트인 ‘21세기 프런 티어사업단’ 중 ‘테라급 나노소자 개발사업단’의 ‘최다 논문상’을 수상했다. 정교수는 연구비 1340억 원이 투입된 ‘테라급 나노소자 개발사업단’에 합류한 2004년부터 현재까지 ‘원자층 박막성장 방법을 이용한 게이트 산화막의 전기적, 물리적 특성에 관한 연구’ 등 모두 19편의 논문을 정상급 SCI급 저 널에 발표했다. 논문은 1조 비트(bit)의 대용량을 극미세 가공이 적용되는 나노 단위(10억분의 1미터)에서 다루는 첨 단과학기술을 소개해 왔다. 정교수는 "프런티어사업단의 연구 성과로 정밀도가 요구되는 테라급 이 상의 나노소자 연구분야에서 경쟁국들과의 반도체 기술격차를 1년 이상 벌이는데 성공했다"고 설명 했다. 교육과학기술부는 31일(수) 오전 10시 서울 송파구 잠실동 롯데호텔월드에서 ‘21세기 프런티어사업단’의 성과보고회와 시상식을 갖는다. 프런티어사업단은 국가전략기술의 개발을 위해 1999년부터 시행되고 있으며 규모가 가장 큰 테라급나노소자사업단과 인간유전체기능연구사업단 등 16개의 세부 국가전략사업단을 운영하고 있다.

a-IGZO TFT 모델링 JJAP 논문 개제 완료 (2010.3)

Wed, 24 Mar 2010 13:19:03 +0900

Meyer-Neldel Rule and Extrction of density of states in amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistor by considering surface band bending Japanese Journal of Applied Physics 49 (2010) 03CB02 Jaewook Jeong, Jae Kyeong Jeong, Jin-Seong Park, Yeon-Gon Mo, and Yongtaek Hong 논문이 어제 날짜로 on-line publish 되었습니다.

ZnO TFT UV영향 논문 개재 완료(2010.3)

Thu, 11 Mar 2010 09:43:46 +0900

연세대학교와 공동으로 연구하였던 ZnO thin film transistor의 UV에 의한 영향에 대한 논문이 2010. 3월에 Electrochemical and Solid-State Letters에 개재완료 되었습니다. ---------------------------------------------------------------------------------------------------- The Effects of UV Exposure on Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition ZnO Thin Film Transistor Electrochem. Solid-State Lett., Volume 13, Issue 5, pp. H151-H154 (2010) S. J. Lim ,1 Jae-Min Kim ,2 Doyoung Kim ,2 Changsoo Lee ,1 Jin-Seong Park ,3 and Hyungjun Kim 2 1Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Korea 2School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Korea 3Department of Materials Science and Engineering, Dankook University, Cheonan 330-714, Korea URL: http://link.aip.org/link/ ESL/13/H151 DOI: 10.1149/1.3322733 ----------------------------------------------------------------------------------------------------