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삼성전자, 日 차세대 TFT 특허 확보
작성자 박진성
날짜 2011.07.21
조회수 1,088
관련기사 요약건들
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일본 도쿄공대 교수가 개발한 박막 트랜지스터(TFT) 기술 라이선스를 onclick="window.open('http://search.mt.co.kr/ kwd=005930&search_type=m', 'popup')"
href="#popup">삼성전자
(842,000원 상승src="http://menu.mt.co.kr/bil/ico_down1.gif">9000 -1.1%)
확보했다.

요미우리 등 현지 언론에 따르면 일본 과학기술 진흥기구(JST)는 호소노 히데오 도쿄 공대 교수(57)가 발명한 고성능
박막 트랜지스터(IGZO TFT)에 관해 지난 20일 삼성전자와 특허 라이선스 계약을 체결했다고 밝혔다.

투명 비정질 산화물
반도체(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)의 하나인 'IGZO'를 사용한 TFT는 기존
디스플레이 재료보다 고해상도 화질을 구현할 수 있으며 제조상 이점도 있는 것으로 알려졌다. 호소노 교수는 JST의 지원 아래 이 기술을
개발했으며 2004년 당시 이 결과를 '네이처'지에 싣기도 했다.

호소노 교수는 "국내외 기업에 차별 없이 라이선스를 하고 싶다는
생각을 처음부터 갖고 있었다"며 "대학의 기초 연구 성과가 제품으로 나오는 것이 재료 연구자로서 숙원"이라고 말했다.


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일본이 개발한 차세대 고정밀 TFT LCD 핵심 기술이 삼성전자에 팔렸다고 요미우리신문 등 일본 언론이
21일 보도했다.

일본 과학기술진흥기구(JST)는 20일 이 기구의 지원을 받아 호소노 히데오 도쿄공업대 교수가 발명한 고성능 박막
트랜지스터(IGZO TFT)의 특허 라이선스 계약을 삼성전자와 체결했다고 밝혔다.

호소노 교수가 발명한 새로운 박막
트랜지스터(TFT)는 `인듐(In)-갈륨(Ga)-아연(Zn)-산소(O)`를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)로, 기존 비정질
실리콘(a-Si) TFT에 비해 전자 이동속도가 10∼20배 빠른 것으로 알려졌다. 이를 TFT LCD에 응용하면 해상도를 약 10배 높일 수
있을 것으로 기대된다.

삼성전자는 이 기술에 근거해 대형이나 3차원형 디스플레이를 개발, 1∼2년 후에 제품화할 계획인 것으로
전해졌다. 스마트폰 등에도 이용할 것으로 보인다.
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href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>삼성
전자가 3차원형 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>디스플레이
등에 쓰이는 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>차세대
고정밀 액정표시장치(LCD)의 핵심기술을 일본 연구진으로부터 사들였다.

삼성전자는 호소노
히데오 도쿄공업대 교수가 href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>발명
한 고성능 class=dklink
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target=_blank>박막
트랜지스터(IGZO TFT)의 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>특허
라이선스 계약을 연구지원기관인 일본과학기술진흥기구와 체결했다고 21일 밝혔다.

이번에 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>구매
한 박막 트랜지스터는 수소화 비결정 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
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target=_blank>실리콘
(Si)으로 만든 기존의 비결정 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
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target=_blank>반도체
와 달리 class=dklink
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target=_blank>인듐
(In)과 갈륨(Ga), style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>아연
(Zn), 산소(O)를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)로 전자 이동속도가 기존보다
10~20배 빠른 것으로 알려졌다. 이를 LCD에 응용할 경우 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>해상도
를 10배가량 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 이 기술을 style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>스마트폰
은 물론 대형 및 3차원형 디스플레이 개발에 적용해 1~2년 후 제품화할 계획인 것으로
알려졌다.


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삼성은 이번 계약으로 제품 매출의 수%를 일본 측에 주게 된다. 일본 측은 이번 특허 수입이 과거
아카사키 이사무 href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>나고야
대 특별교수 등이 개발한 청색 발광style="COLOR: #00309c; TEXT-DECORATION: underline" class=dklink
href="http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201107/e20110721144650120250.htm"
target=_blank>다이오드
의 특허수입 56억엔 규모에 이를 것으로 예상하고
있다.