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김민주 | 공과대학 전자전기공학부 (제2공학관)

  • 직급:
    조교수

교수소개

고려대학교 전기전자공학부에서 2014년에 학사, 2016년에 석사 학위를 취득하였다. 이후 KAIST에 진학하여 2021년에 박사학위를 취득하였다. 이후 삼성전자 반도체연구소에 입사하여 VNAND 10세대 제품의 공정-소자-설계 아키텍쳐 개발을 수행하였다.
2022년 3월부터 단국대학교 전가전기 공학부에 재직중이며, 주요 연구분야는 차세대 메모리 소자 개발, 유기물 기반 고성능 반도체 소자 개발, 무기물 기반의 Disruptive 로직 대체 소자 개발이다.

학력

  • [2014] 학사 고려대학교 / 전기전자전파공학부
  • [2016] 석사 고려대학교 / 전기전자공학과
  • [2021] 박사 한국과학기술원 / 전기및전자공학과

주요경력

  • 삼성전자 (2021-03-01)

주요연구분야

차세대 메모리 소자 개발
유기물 기반 고성능 반도체 소자 개발
무기물 기반 신개념 로직 대체 소자 개발

컨설팅 가능 분야

Semiconductor Process (CVD, ALD etc)
Organic, inorganic electronic materials
Organic electronic device and fabrication
Inorganic electronic device and fabrication
DRAM & NAND Flash Memory Device

연구업적

  • 일반논문[20240101] Application of Pulsed Green Laser Activation to Top-Tier MOSFET Fabrication for Monolithic 3-D Integration
  • 일반논문[20231201] A Study on Memory Characteristics of Hybrid-based Charge Trap-Type Organic Non-Volatile Memory Device According to Gate Stack Thickness
  • 일반논문[20231116] The Effect of Alkyl Chain Length in Organic Semiconductor and Surface Polarity of Polymer Dielectrics in Organic Thin-Film Transistors (OTFTs)
  • 일반논문[20231101] A non-invasive approach to the resistive switching physical model of ultra-thin organic-inorganic dielectric-based ReRAMs
  • 일반논문[20230629] A Study on Optimal Indium Tin Oxide Thickness as Transparent Conductive Electrodes for Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
  • 일반논문[20230501] Ultralow-k Amorphous Boron Nitride Film for Copper Interconnect Capping Layer
  • 일반논문[20230301] A Novel Structured Single Device Neuron for Low Standby Power and Compact System Application
  • 일반논문[20221001] Grain Size Engineering Using Amorphous-Ge/Si Stack to Enhance Channel Mobility for NAND Flash Memory
  • 일반논문[20221001] Resistive Random Access Memory Behaviors in Organic-Inorganic Hybrid Ultra-Thin Films
  • 일반논문[20220921] Vapor-phase synthesis of a reagent-free self-healing polymer film with rapid recovery of toughness at room temperature and under ambient conditions
  • 일반논문[20211001] Highly Reliable Charge Trap-Type Organic Non-Volatile Memory Device Using Advanced Band-Engineered Organic-Inorganic Hybrid Dielectric Stacks
  • 일반논문[20211001] Copolymer-Based Flexible Resistive Random Access Memory Prepared by Initiated Chemical Vapor Deposition Process
  • 일반논문[20210920] An 8-nm-thick Sn-doped polycrystalline beta-Ga2O3 MOSFET with a "normally off" operation
  • 일반논문[20210901] Performance enhancement of p-type organic thin-film transistors by surface modification of hybrid dielectrics
  • 일반논문[20210401] Method to Achieve the Morphotropic Phase Boundary in HfxZr1-xO2 by Electric Field Cycling for DRAM Cell Capacitor Applications
  • 일반논문[20210401] Hf- and Ti-Based Organic/Inorganic Hybrid Dielectrics Synthesized via Chemical Vapor Phase for Advanced Gate Stack in Flexible Electronic Devices
  • 일반논문[20210301] Large-Area, Conformal, and Uniform Synthesis of Hybrid Polymeric Film via Initiated Chemical Vapor Deposition
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