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홍웅기 | 공과대학 전자전기공학부 (제2공학관)

  • 직급:
    조교수

교수소개

고려대학교 전기전자전파공학부에서 2015년에 학사 학위를 취득하고, 한국과학기술원(KAIST) 전기 및 전자공학부 대학원으로 진학하여 2017년에는 석사 학위를, 2022년에는 박사학위를 취득하였다. 이후 삼성전자 파운드리 사업부에 입사하여 Automotive 제품군 개발 업무를 담당하였다.
2023년 3월부터 단국대학교 전자전기공학부로 부임 하였으며, 주요 연구 분야는 차세대 반도체 소재 합성 및 이를 이용한 전자 소자 응용 연구 이다.

학력

  • [2015] 학사 고려대학교 / 전기전자전파공학
  • [2017] 석사 한국과학기술원 / 전기및전자공학부 / 차세대 반도체 소재 및 소자
  • [2022] 박사 한국과학기술원 / 전기및전자공학부 / 차세대 반도체 소재 및 소자

주요경력

  • 삼성전자 (2022-03-01)

주요연구분야

High-k 절연막 개발
2차원 반도체 소재 기반 FETs
2차원 반도체 소재 합성

컨설팅 가능 분야

High-k Dielectric
Semiconductor Process
2D Materials Synthesis
2D Materials based FETs and Fabrication

연구업적

  • 일반논문[20240111] Healing donor defect states in CVD-grown MoS2 field-effect transistor via oxygen plasma with channel-protecting barrier
  • 일반논문[20230904] Triggering Thermal Healing of Large Area MOCVD Grown TMDs at the Trion Dissociation
  • 일반논문[20230816] A Highly Reliable Molybdenum Disulfide-Based Synaptic Memristor Using a Copper Migration-Controlled Structure
  • 일반논문[20230517] MOCVD Growth of Hierarchical Nanostructured MoS2: Implications for Reactive States as the Large-Area Film
  • 일반논문[20230509] Plasmonic Nanoparticles on Graphene Absorber for Broadband High Responsivity 2D/3D Photodiode
  • 일반논문[20220701] Enhanced Electrical Properties of Metal-Organic Chemical Vapor Deposition-Grown MoS2 Thin Films through Oxygen-Assisted Defect Control
  • 일반논문[20220317] Spatially isolated neutral excitons via clusters on trilayer MoS2
  • 일반논문[20211027] Wafer-Scale Uniform Growth of an Atomically Thin MoS2 Film with Controlled Layer Numbers by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
  • 일반논문[20210701] Hybrid Gate Dielectric of MoS2 Transistors for Enhanced Photo-Electronic Stability
  • 일반논문[20210408] Atomically thin Schottky junction with a gap-mode plasmon for enhanced photoresponsivity in MoS2-based photodetectors
  • 일반논문[20210102] Passivation layer effect on the positive bias temperature instability of molybdenum disulfide thin film transistors
  • 일반논문[20200901] TFT Channel Materials for Display Applications: From Amorphous Silicon to Transition Metal Dichalcogenides
  • 일반논문[20200401] Clean and less defective transfer of monolayer graphene by floatation in hot water
  • 일반논문[20200201] Gap-Mode Plasmon-Induced Photovoltaic Effect in a Vertical Multilayer Graphene Homojunction
  • 일반논문[20190501] Large-Scale, Low-Power Nonvolatile Memory Based on Few-Layer MoS2 and Ultrathin Polymer Dielectrics
  • 일반논문[20190204] Observation of Wavelength-Dependent Quantum Plasmon Tunneling with Varying the Thickness of Graphene Spacer
  • 일반논문[20190201] Improved Electrical Contact Properties of MoS2-Graphene Lateral Heterostructure
  • 일반논문[20181101] Large-Area CVD-Grown MoS2 Driver Circuit Array for Flexible Organic Light-Emitting Diode Display
  • 일반논문[20170807] Tuning the catalytic functionality of transition metal dichalcogenides grown by chemical vapour deposition
  • 일반논문[20160725] Multilayer Graphene with a Rippled Structure as a Spacer for Improving Plasmonic Coupling
캠퍼스별 교무팀